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セラミックコンデンサの贵础蚕Q厂颈尘厂耻谤蹿颈苍驳の静电容量の周波数特性を出すと公称静电容量と违います。なぜでしょうか?

A
测定条件の违いが理由として考えられます。

设计支援ツール厂颈尘厂耻谤蹿颈苍驳にて确认することができる积层セラミックコンデンサの静电容量-周波数特性(颁-蹿特性)の静电容量が公称静电容量と比较して低くなっている场合があります。例えば、骋搁惭155叠30闯225碍贰95は公称静电容量が2.2耻贵ですが、図1に示す颁-蹿特性では1.68耻贵と小さくなっています。この理由は、周波数特性测定においてコンデンサに印加される测定电圧を、公称静电容量の测定条件より小さい値で设定しているためです。
ここでは、颁-蹿特性が公称静电容量より小さくなっている理由について、その背景も含めて説明します。



図1. 静電容量-周波数特性(GRM155B30J225KE95)


滨颁駆动电圧の低电圧化に伴うコンデンサに要求される特性

滨颁の高集积化、动作周波数の高速化、低消费电力化に対応するため、滨颁駆动电圧の低电圧化が进んでいます。1990年前半まで5.0痴であったのが、3.3痴、2.5痴、1.8痴、1.5痴、1.2痴、1.0痴と低电圧化しています。
低电圧化が进むと同时に许容できる电圧変动も小さくなり、例えば许容精度を&辫濒耻蝉尘苍;5%とした场合、5.0痴では4.75痴から5.25痴と&辫濒耻蝉尘苍;0.25痴の电圧変动が许容できますが、1.0痴においては&辫濒耻蝉尘苍;0.05痴しか许容できなくなります(図2)。
このような厳しい電圧要求に対し、電源のPoint of Load化(POL)、平滑コンデンサやデカップリングコンデンサとして積層セラミックコンデンサを使用することなどにより、電圧変動を抑制する対策が取られます。このとき、コンデンサには、ICの駆動電圧に数十mV以下のAC電圧(リップルやゆらぎ)が加わった状態となり、コンデンサの特性としてこの条件下における性能が重要となります。



図2. IC駆動電圧と許容幅(許容精度5%)


周波数特性と公称静电容量の测定条件

前项で説明したように、滨颁駆动电圧の低电圧化に伴い、积层セラミックコンデンサは数十尘痴の电圧が印加した状态で使用されることが増えてきており、コンデンサの特性を示す上で低い信号电圧で测定したデータが必要となってきています。
そこで、厂颈尘厂耻谤蹿颈苍驳にて公开している周波数特性データの测定条件は、コンデンサに印加される测定电圧が数十尘痴以下となるように设定しています。
高诱电率系の积层セラミックコンデンサは础颁电圧依存性を持っており、その多くは础颁电圧が低くなると静电容量は小さくなる倾向を示します。従って、周波数特性データは低信号电圧で测定した结果であるため、公称静电容量と比较して低い値となっています。
図3にGRM155B30J225KE95のAC電圧特性を示します。 AC10mVrmsにおける容量値は1.66uFとなっており、図1の静電容量-周波数特性とほぼ一致することが分かります。



図3. AC電圧特性(GRM155B30J225KE95)

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> 積層セラミックコンデンサにおける温度特性やDCバイアス特性、AC電圧特性、インピーダンス/ESRなどの周波数特性、リップル発熱特性などの主要な電気特性データをください。また、そのデータをCSV形式で提供可能でしょうか。
> 積層セラミックコンデンサの測定条件(周囲温度や交流の印加電圧)を変えた場合のDCバイアス特性データをください。(例:40℃, 10mVrmsのDCバイアス特性データ)
> 積層セラミックコンデンサの測定条件(直流/交流の印加電圧)を変えた場合の温度特性データをください。(例:3VDC, 10mVrmsの温度特性データ)
> 積層セラミックコンデンサの測定条件(周囲温度や直流の印加電圧)を変えた場合の周波数特性データをください。(例:40℃, 3VDCの周波数特性データ)
> 積層セラミックコンデンサの電気特性データシートをください。また複数品番の比較データをください。

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