チップ积层セラミックコンデンサに机械的、热的応力が加わることでクラックが発生し、そのクラックが内部电极のアクティブエリア(図1)に达した场合、その部分の内部电极间でリークを起こし、絶縁抵抗が低下(ショート)に至る可能性があります。
絶縁抵抗低下のメカニズムとして、主に"クラック発生部位の高电界下での放电"があげられます。
例えば、図2にあるように、内部电极间でクラックが発生した场合、电极に挟まれた诱电体内に微小な厚みの空気の层ができた状态として见ることができます。
このモデルでは、电圧Ｖが印加された场合、诱电体层内部の电界强度をＥとすると、空気の层の电界强度は&别辫蝉颈濒辞苍;Ｅで表されます。
そのため、コンデンサに印加された电圧の殆どが空気层にかかる事になり、それが空気の絶縁破壊电圧を超えれば、放电が発生し、この繰り返しによって絶縁抵抗が低下します。
図 1
図 2
&濒迟;セラミックコンデンサのクラックに関连する记事はこちら&驳迟;