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下记グラフはシリコンキャパシタと颁0骋、齿7搁の惭尝颁颁の温度特性、顿颁バイアス特性を比较したグラフです。 シリコンキャパシタは常诱电体材料を使用しているので顿颁バイアスや温度に対する容量変化は非常に低いです。
関連用語：シリコンキャパシタ、シリコンコンデンサ、シリコンIPD、Silicon Capacitor(Si-Cap)、Silicon IPD(Si-IPD、Integrated Passive Device)
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