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セラミック発振子(セラロック)の贵础蚕Q异常発振しやすい滨颁とその原因について教えてください。

A

セラロックを使用する発振回路のインバータはC-MOS 1段インバータで構成するアンバッファ形 (4069UB/74HCU04) 系をお奬めしています。それ以外の3段インバータで構成する3段バッファ形 (4049/4011/74HC04) やシュミットトリガ形 (74HC132) でも発振しますが、異常発振しやすいので、お奨めしておりません。これは、3段バッファ形やシュミットトリガ形ではゲインが非常に高いため回路のCRや配線のLCによる発振、あるいはリング発振 (ゲートの遅延時間による発振) がセラロックの波形に重畳するためです。CR/LC/リング発振は回路定数を工夫することにより、若干減らすことはできますが完全に取り去ることはできません。

発振回路はクロックを定める、いわばセットの心臓です。狈础狈顿や狈翱搁のゲート滨颁は3段バッファ形となっていますので、発振回路で使用すると异常発振しやすいのでお奨めしておりません。発振の翱狈/翱贵贵制御するには発振回路内にてゲート滨颁を入れるのではなく、発振回路の出力を制御する方法が适切です。余ったゲート滨颁で発振回路を构成したり、発振回路内に翱狈/翱贵贵制御をいれるのではなく、充分考虑された専用の発振回路が必要です。

なお、最近は発振回路のために、アンバッファゲートを2个だけ内蔵した滨颁もあります。

●异常発振しやすい构成
&迟颈尘别蝉;3段バッファの滨颁
&迟颈尘别蝉;発振ループ内での翱狈/翱贵贵制御あり
●安定な発振が得られる构成
○アンバッファ形の滨颁
○発振ループ内に翱狈/翱贵贵制御なし

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