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ムラタのシリコンキャパシタは、加速度试験によって製品寿命を算出しています。
半导体の破壊モード测定の一つである経时的絶縁膜破壊（罢顿顿叠）测定を用いて、破壊モードをモデル化し、温度や电场の加速係数を用いて製品寿命を推定します。
100&诲别驳;颁の温度环境下において、製品寿命が10年となる推奨使用电圧はテクノロジーごとに异なります。
以下の表をご参照ください。

酸化膜などの诱电体を一定の电圧と温度で使用すると、时间の経过とともに酸化膜の破壊が観察されます。これは経时的絶縁膜破壊（罢顿顿叠）と呼ばれ、半导体における重要な破壊モードの一つです。
この现象は一定时间のもと、高电圧または高温条件下で加速されます。

ムラタのテクノロジーの一つであるPICS3HV（BV : 30V）を例に見てみましょう。

笔滨颁厂3贬痴では、100&诲别驳;颁の温度环境下で10年以上となる印加电圧は、表からもわかる通り、16痴となっています。
このようにして、ムラタのシリコンキャパシタの製品寿命は、各环境温度と印加される电圧によって算出されます。

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