ムラタの高密度シリコンキャパシタは、半导体の惭翱厂プロセスを応用して3次元化することで电极面を大幅に増やし、基板単位面积当たりの静电容量を大きくしたものです。ムラタはこの3次元构造を非结晶基板に一体化する技术を保有しています。
この高度な3Dトポロジーにより、100µmという驚異的な薄さの中に、セラミック層80層分に相当するアクティブな静電容量領域を実現しています。（100µmより小さい値についてはお问い合わせください。）
安定した诱电体（常诱电体）を使用することにより、安定した电気的特性を実现しています。
半导体惭翱厂プロセスと同じ顿狈础を持つムラタのシリコンキャパシタは、実証された一贯性のあるデータに基づいた标準モードがあり、それゆえ予测可能で信頼性の高い卓越した性能を提供します。当社のシリコンキャパシタ技术は、高温硬化时に発生する酸化物により、他のキャパシタ技术に比べ最大11倍の信頼性を実现しています。さらに、电気テスト各种をすべて製造工程の最后に行うことで、初期不良の発生を防いでいます。