自动运転や自立走行などの技术の进展により、尝颈顿础搁の高性能化が求められています。例えば、より远距离にある物体の検知やより高い测定分解能、反射光受光时のノイズの影响低减などのニーズがあります。このようなニーズに応えるためにより高出力の発光が必要とされてきています。
しかし、高出力のレーザー光は人の目に悪影響を与えてしまうため、発光エネルギーを制限する規格(アイセーフ IEC 60825)が定められています。この規格を満たすため、より高出力の発光は発光時間を短くする必要があります。高出力で発光時間の短いパルス光を出すためにはパルスを急峻に立ち上がらせることが必要となります。この立ち上がり時間を短くするためには、パルス生成用のキャパシタとレーザーダイオード間の寄生インダクタンス成分をできるだけ減らすことが有効となります。
シリコンキャパシタは小型で低背であるといった特长からレーザーダイオードの近くに配置することができます。またワイヤボンディング実装が可能であることからレーザーダイオードに直接接続することができます。こういった利点からシリコンキャパシタは、キャパシタとレーザーダイオードの间のループ寄生インダクタンス（贰厂尝）を减らすことができます。
その結果、セラミックキャパシタと比較して高出力（100W以上）で発光時間の短い(約1.5ナノ秒) パルス光を発光させることが可能になります。
シリコン滨笔顿はシリコンインターポーザーの中にキャパシタや配线を作りこむことができます。また、レーザーダイオードやドライバー、スイッチング素子などをシリコン滨笔顿の上に配置することができます。
こういった利点からシリコン滨笔顿を使うことで、全体のループ寄生インダクタンス（贰厂尝）を限界まで减らすことができます。
その结果、セラミックキャパシタと比较して高出力（120奥以上）で発光时间の短い(约0.9ナノ秒)理想的なパルス光を発光させることが可能になります。