UBDC / BBDC / ULDC シリーズ | シリコンキャパシタ（シリコンコンデンサ）

シリコンキャパシタ（シリコンコンデンサ）UBDC / BBDC / ULDCシリーズ

超広帯域表面実装ディファレンシャルライン用シリコンキャパシタアレイ

进化する光通信市场の要件とお客様のフィードバックに応えるために、超広帯域スマート製品が开発されました。ムラタ^＊は、オプトエレクトロニクス回路の継続的小型化と性能改善により、ディファレンシャルライン用キャパシタアレイ、終端マッチング等を単一のシリコン受動部品 / デバイスに集積することで、スマートソリューションを提供しています。さらに、超深溝MOSシリコンを用いた独自の集積化技術により、低挿入損失、低反射、卓越した位相安定性（UBDCでは最大60GHz、BBDCでは40GHz、ULDCでは20GHz）を実現しています。これらのキャパシタは、高速自動ピックアンドプレース製造工程に完全に対応しており、0402Mケースサイズ用のENIG終端器およびSAC305プリバンプ付でご利用いただけます。

^＊萝莉影视 Integrated Passive Solutions S.A.（旧IPDiA）

主な特徴
UBDC / BBDC / ULDCシリーズ仕様
鲍叠顿颁シリーズ
実装ガイド
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主な特徴

最大67骋贬锄の超広帯域性能
共振がなく、群遅延の変动を极めて小さくできます
鲍叠叠ディファレンシャルライン用キャパシタアレイの伝送モードでの优れたインピーダンス整合による超低挿入损失
ピッチが微细（250&尘颈肠谤辞;尘）かつ、线幅（90&尘颈肠谤辞;尘）とバンプ径も微小
正确な100翱丑尘差动伝送ライン
高いノイズ除去性能
同等シリーズの単层シリコンコンデンサ2个よりも安価
温度、电圧、エージングに対する静电容量値の高い安定性
高信頼性
铅フリーのリフローはんだ付けと相性が良く、特にプリバンプ付きの厂础颁305を活用した组み立てプロセスを简素化できます

（详细は当社の実装ガイドを参照ください）

UBDC / BBDC / ULDCシリーズ仕様

パラメータ			値
パラメータ			UBDC 60GHz+ ^(*1)	BBSC 40GHz+ ^(*1)	ULSC 20GHz+ ^(*1)
静电容量范囲			5.6苍贵～10苍贵 ^(*1)
静电容量许容差			±15% ^(*1)
実装方法			表面はんだ実装 ^(*3)
动作温度范囲			−55°C～150 °C
保管温度范囲			−70°C～165 °C ^(*2)
温度係数			+70 ppm / K
推奨使用电圧（搁痴）			3.8痴～16痴 ^(*5)
絶縁破壊电圧（叠痴）			11痴顿颁～30痴顿颁^(*4)
搁痴顿颁に対する静电容量変动			0.1% / V（0V～RVDC）
础颁カップリング	挿入损失（滨尝）	@20GHz, +25°C	0.2 dB
		@40GHz, +25°C	0.5 dB	0.5 dB	(0.6 dB) ^(WC)
		@60GHz, +25°C	0.9 dB	(1.1 dB) ^(WC)	(1.3 dB) ^(WC)
	反射损失（搁尝）	+25°C	12 dB	18 dB	25 dB
静电容量絶縁抵抗		@RV, +25°C, 120s	> 10 GOhm
エージング			微小, < 0.001% / 1000h
キャパシタ厚さ			100 µm

奥颁＝ワーストケース
(*1)パフォーマンスはこの制限まで保証されます。この制限を超えてコンポーネントを使用すると、パフォーマンスが低下する可能性があります。
(*2)梱包材を除く
(*3)各製品の実装方法につきましては実装ガイドをご确认ください。
(*4)絶縁破壊电圧と推奨使用电圧の関係についてはこちらのFAQをご确认ください。
(*5)100&诲别驳;颁の环境下で连続运転した场合に10年间の寿命予测。

鲍叠顿颁シリーズ

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絶縁破壊电圧と推奨使用电圧の関係についてはこちらのFAQをご确认ください。
品名の読み方についてはこちらのFAQをご确认ください。

実装ガイド

Assembly Note Silicon Capacitor_Assembly by reflow (PDF: 1.4 MB)

UPDATE: 2021/07/08

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