鲍奥厂颁シリーズは光通信システム（ROSA／TOSAやSONET、その他光エレクトロニクス全般）に加え高速データシステムや製品をターゲットとして、DCデカップリングとバイパス用途向けに設計されたものです。ムラタ＊の半導体（シリコン）技術による、独自の集積受動部品／デバイス（Integrated Passive Devices）により、26GHzを超える周波数において優れたノイズ除去性能を実現しています。鲍奥厂颁シリーズはディープトレンチとMOS半導体プロセスを用いて製造されており、低容量と高容量両方の要求に対応し、高い信頼性と温度と電圧に対する静電容量の安定性を提供します。（0.02%/V, 60 ppm/K）また、-55°C～150°Cと広い动作温度范囲を実現しています。900°Cを超える高温アニールにより得られる高純度の酸化膜による完全に制御された製造ラインが、高い信頼性と再現性を生み出します。これらのキャパシタは標準のワイヤボンディング実装（ボールおよびウェッジ）に対応しています。また、これらはRoHS対応品で、厚膜の金電極もご用意できます。
＊萝莉影视 Integrated Passive Solutions S.A.（旧IPDiA）